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广东图3 电子能带结构与温度的关系(A)SnSe在300K时的电子能带结构。【成果简介】近日，起步在北京航空航天大学赵立东教授和南方科技大学何佳清教授团队等人带领下，起步通过Pb合金化开发了具有宽带隙（Eg≈33kBT）的SnSe晶体，并具有出色的热电性能。

北京航天航空大学和美国西北大学的赵立东（通讯作者）以及美国西北大学MercouriG.Kanatzidis（通讯作者）等人通过空穴掺杂硒化锡（SnSe）晶体获得了破纪录的ZTdev，电力其约1.34，电力此时在300K到773K温度范围内ZT的值在0.7到2之间。研究发现，现货行日采用31对热电装置可产生~4.4%的发电效率和~45.7K的冷却ΔTmax。市场试运用溴掺杂SnSe以制备具有重叠层间电荷密度（3D电荷输运）的n型SnSe晶体。

(C)Sn0.91Pb0.09Se晶体、结算商业BST和p型纯SnTe的单支器件的最大温差ΔTmax。同时，日南实现了一个高性能的热电装置，日南进一步证明了宽带隙SnSe晶体在发电（如收集废热）和电子设备（如作为热电冷却的温度控制器）中的潜在应用前景。

热电材料的性能由无量纲品质因数ZT决定，广东定义为ZT=(S2σ/κ)·T，其中S、σ、κ和T代表塞贝克系数、电导率、热导率以及开尔文温度。

在这些选择规则中，起步可以确定一些有前途的热电材料，比如BiCuSeO、BiSbSe3、K2Bi8Se13和Sb2Si2Te6。电力图1含多重平面缺陷银纳米晶的自然氧化。

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